MOSFET, N-Canal Infineon IPB180N06S4H1ATMA2, ID 180 A, Mejora, TO-263

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
260-5120
Nº ref. fabric.:
IPB180N06S4H1ATMA2
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Encapsulado

TO-263

Serie

iPB

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de potencia optiMOS de canal N de Infineon proporcionan una excelente carga de puerta. Tiene la capacidad de corriente más alta. Este transistor MOSFET de canal N funciona en modo de mejora.

Modo de mejora de canal N

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

100 % probado en avalancha

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