MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:
168-6012
Nº ref. fabric.:
IRFS4010TRLPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

TO-263

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

143nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

375W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

4.83mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

9.65 mm

Longitud

10.67mm

Estándar de automoción

No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFS4010TRLPBF


Este MOSFET de alta potencia ofrece un gran rendimiento en diversas aplicaciones, esencial para los sistemas electrónicos contemporáneos. Su funcionamiento en modo de mejora y su avanzada tecnología HEXFET proporcionan una gestión eficiente de la energía, lo que lo hace idóneo para aplicaciones que requieren un control fiable de la potencia.

Características y ventajas


• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 180 A para cargas importantes

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para mayor flexibilidad

• La baja Rds(on) de 4,7mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• Diseñado en una única configuración para facilitar la integración

• Soporta eficazmente temperaturas de hasta +175°C

• Conmutación de potencia a alta velocidad para un funcionamiento eficaz

Aplicaciones


• Utilizado en la rectificación síncrona para fuentes de alimentación conmutadas

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Aplicado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

• Se utiliza en equipos de automatización que necesitan una gestión eficiente de la energía

• Se integra bien en diversos proyectos eléctricos y mecánicos

¿Cómo afecta la resistencia al rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia?


Un Rds(on) bajo reduce notablemente la generación de calor y la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia de los convertidores de potencia de alta frecuencia.

¿Qué tensión de puerta se necesita para garantizar un funcionamiento óptimo?


El dispositivo funciona eficazmente con una tensión puerta-fuente de entre 2V y 4V, recomendándose 10V para obtener la máxima eficiencia.

¿Es sencilla la instalación de este componente?


Sí, este MOSFET de montaje superficial está diseñado para una fácil colocación en placas de circuito impreso, lo que permite una configuración rápida y fiable en diversos dispositivos.

¿Puede gestionar eficazmente la temperatura?


Con una temperatura de unión operativa máxima de +175 °C, es adecuado para su uso en entornos que requieren un sólido rendimiento térmico.

¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de la incorporación de este componente?


Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, circuitos de control de carga y sistemas de gestión de potencia en los campos de la automatización y la electricidad.

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