MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

Código RS:: 168-6012
Nº ref. fabric.:: IRFS4010TRLPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Código RS:: 168-6012
Nº ref. fabric.:: IRFS4010TRLPBF
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de canal	Tipo N
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	100V
	Serie	HEXFET
	Encapsulado	TO-263
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	4.7mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Tensión directa Vf	1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	143nC
	Disipación de potencia máxima Pd	375W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	No
	Longitud	10.67mm
	Altura	4.83mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de canal Tipo N
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 180A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V
	Serie HEXFET
	Encapsulado TO-263
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ
	Modo de canal Mejora
	Tensión directa Vf 1.3V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC
	Disipación de potencia máxima Pd 375W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares No
	Longitud 10.67mm
	Altura 4.83mm
	Estándar de automoción No

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFS4010TRLPBF

Este MOSFET de alta potencia ofrece un gran rendimiento en diversas aplicaciones, esencial para los sistemas electrónicos contemporáneos. Su funcionamiento en modo de mejora y su avanzada tecnología HEXFET proporcionan una gestión eficiente de la energía, lo que lo hace idóneo para aplicaciones que requieren un control fiable de la potencia.

Características y ventajas

• Admite una corriente de drenaje continua de hasta 180 A para cargas importantes

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 100 V para mayor flexibilidad

• La baja Rds(on) de 4,7mΩ minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• Diseñado en una única configuración para facilitar la integración

• Soporta eficazmente temperaturas de hasta +175°C

• Conmutación de potencia a alta velocidad para un funcionamiento eficaz

Aplicaciones

• Utilizado en la rectificación síncrona para fuentes de alimentación conmutadas

• Adecuado para sistemas de alimentación ininterrumpida

• Aplicado en circuitos de conmutación dura y alta frecuencia

• Se utiliza en equipos de automatización que necesitan una gestión eficiente de la energía

• Se integra bien en diversos proyectos eléctricos y mecánicos

¿Cómo afecta la resistencia al rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia?

Un Rds(on) bajo reduce notablemente la generación de calor y la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia de los convertidores de potencia de alta frecuencia.

¿Qué tensión de puerta se necesita para garantizar un funcionamiento óptimo?

El dispositivo funciona eficazmente con una tensión puerta-fuente de entre 2V y 4V, recomendándose 10V para obtener la máxima eficiencia.

¿Es sencilla la instalación de este componente?

Sí, este MOSFET de montaje superficial está diseñado para una fácil colocación en placas de circuito impreso, lo que permite una configuración rápida y fiable en diversos dispositivos.

¿Puede gestionar eficazmente la temperatura?

Con una temperatura de unión operativa máxima de +175 °C, es adecuado para su uso en entornos que requieren un sólido rendimiento térmico.

¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de la incorporación de este componente?

Es ideal para aplicaciones de conmutación de alta velocidad, circuitos de control de carga y sistemas de gestión de potencia en los campos de la automatización y la electricidad.