MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFS4010TRLPBF, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 130-0999
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4010TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 paquete de 2 unidades)*
7,76 €
(exc. IVA)
9,38 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
- Disponible(s) 6 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 798 unidad(es) más para enviar a partir del 08 de septiembre de 2026
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,88 € | 7,76 € |
| 20 - 48 | 3,415 € | 6,83 € |
| 50 - 98 | 3,185 € | 6,37 € |
| 100 - 198 | 2,94 € | 5,88 € |
| 200 + | 2,71 € | 5,42 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 130-0999
- Nº ref. fabric.:
- IRFS4010TRLPBF
- Fabricante:
- Infineon
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4.7mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 143nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 375W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 10.67mm | |
| Anchura | 9.65mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.83mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4.7mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 143nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 375W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 10.67mm | ||
Anchura 9.65mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.83mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 375 W - IRFS4010TRLPBF
Características y ventajas
Aplicaciones
¿Cómo afecta la resistencia al rendimiento en aplicaciones de alta frecuencia?
¿Qué tensión de puerta se necesita para garantizar un funcionamiento óptimo?
¿Es sencilla la instalación de este componente?
¿Puede gestionar eficazmente la temperatura?
¿Qué tipos de circuitos pueden beneficiarse de la incorporación de este componente?
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263
- MOSFET VDSS 60 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-263 de 7 pines
- MOSFET VDSS 120 V Mejora, TO-263 de 7 pines
