MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 214-9008
- Nº ref. fabric.:
- IPB024N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-9008
- Nº ref. fabric.:
- IPB024N10N5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El Infineon OptiMOS 5 100V Power MOSFET está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor. El dispositivo tiene un nivel de RDS(on) inferior al 22 % en comparación con dispositivos similares , uno de los mayores contribuyentes a esta FOM líder del sector es la baja resistencia de estado de conexión que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.
100 % a prueba de avalancha
Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino