MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB024N10N5ATMA1, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines

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Código RS:
214-9009
Nº ref. fabric.:
IPB024N10N5ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

OptiMOS 5

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

7

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

2.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El Infineon OptiMOS 5 100V Power MOSFET está especialmente diseñado para rectificación síncrona en bloques de telecomunicaciones incluidos OR-ing, intercambio en caliente y protección de batería, así como para aplicaciones de fuente de alimentación de servidor. El dispositivo tiene un nivel de RDS(on) inferior al 22 % en comparación con dispositivos similares , uno de los mayores contribuyentes a esta FOM líder del sector es la baja resistencia de estado de conexión que proporciona el nivel más alto de densidad de potencia y eficiencia.

100 % a prueba de avalancha

Calificado según JEDEC para aplicaciones de destino

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