MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB011N04NGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 898-6918
- Nº ref. fabric.:
- IPB011N04NGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- 898-6918
- Nº ref. fabric.:
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- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 188nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 250W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 9.45 mm | |
| Longitud | 10.31mm | |
| Altura | 4.57mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 188nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 250W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 9.45 mm | ||
Longitud 10.31mm | ||
Altura 4.57mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
MOSFET Infineon OptiMOS™ serie 3, corriente de drenaje continua máxima de 180 A, disipación de potencia máxima de 250 W - IPB011N04NGATMA1
Este MOSFET está optimizado para aplicaciones de alto rendimiento en los sectores eléctrico y mecánico. Presenta un diseño robusto y un funcionamiento eficaz, lo que la hace idónea para sistemas de automatización. Con una corriente de drenaje continua máxima de 180 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 40 V, proporciona una mayor eficiencia y fiabilidad en el rendimiento del circuito.
Características y ventajas
• El alto manejo de la corriente mejora la eficiencia y el rendimiento del sistema
• La baja Rds(on) reduce la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso
• Capaz de disipar hasta 250 W, sirve para una gran variedad de aplicaciones
• El amplio rango de temperaturas de funcionamiento garantiza la funcionalidad en distintos entornos - La configuración de canal N ofrece mejores características de conmutación
Aplicaciones
• Utilizados en sistemas de control y accionamiento de motores
• Adecuado para la gestión de la energía en la automatización industrial
• Empleado en convertidores CC-CC e inversores
• Se utiliza para la conmutación de cargas en sistemas de distribución de energía
• Aplicable en sistemas de energías renovables, como inversores solares
¿Cuál es la corriente de drenaje continua máxima de este dispositivo?
El dispositivo puede manejar hasta 180 A de corriente de drenaje continua, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alta potencia.
¿Puede funcionar a altas temperaturas?
Sí, tiene una temperatura máxima de funcionamiento de +175 °C, lo que permite un rendimiento constante en condiciones difíciles.
¿Cuáles son las especificaciones de la tensión umbral de puerta?
La tensión umbral de puerta máxima es de 4 V, mientras que la mínima es de 2 V, lo que proporciona flexibilidad en la compatibilidad operativa.
¿Qué tipo de montaje admite este componente?
Este producto está diseñado para montaje en superficie, lo que facilita la instalación directa en diversas placas de circuitos.
¿Cómo contribuye este MOSFET a la eficiencia energética?
Su bajo valor Rds(on) de 1,1 mΩ reduce significativamente la pérdida de potencia, mejorando la eficiencia de los sistemas electrónicos en general.