MOSFET Infineon IPB011N04NGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

Código RS:: 145-9552
Nº ref. fabric.:: IPB011N04NGATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPB011N04NGATMA1, VDSS 40 V, ID 180 A, D2PAK-7 de 7 pines, , config. Simple

2524 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)

1,578 €

(exc. IVA)

1,909 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
1000 +	1,578 €	1.578,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 145-9552
Nº ref. fabric.:: IPB011N04NGATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Estado RoHS: No aplica

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de potencia OptiMOS™3 de Infineon, hasta 40 V

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N, nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Chapado sin plomo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	180 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	40 V
Serie	OptiMOS™ 3
Tipo de Encapsulado	D2PAK-7
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	7
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,1 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Disipación de Potencia Máxima	250 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Ancho	9.45mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	188 nC a 10 V
Longitud	10.31mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Tensión de diodo directa	1.2V
Altura	4.57mm