MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-263

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Código RS:
258-3802
Nº ref. fabric.:
IPB180N10S403ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

180A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Serie

iPB

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

108nC

Disipación de potencia máxima Pd

250W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de potencia OptiMOS-T2 de Infineon es un modo de mejora de nivel normal de canal N. Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Certificación AEC

MSL1 hasta 260 °C de reflujo de pico

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