MOSFET Vishay, Tipo N-Canal, VDSS 60 V, ID 2.7 A, SOT-223 de 4 pines, 1, config. Simple
- Código RS:
- 180-8362
- Nº ref. fabric.:
- IRLL014TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 180-8362
- Nº ref. fabric.:
- IRLL014TRPBF
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 2.7A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.2Ω | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 8.4nC | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 2.7A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.2Ω | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 8.4nC | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción No | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Vishay
El MOSFET de Vishay es un encapsulado SOT-223-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 200mohm a una tensión de fuente de puerta de 5V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 3,1W mW. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4V V y 5V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.
Características y ventajas
• Disponible en cinta y carrete
• Índice dv/dt dinámico
• Facilidad de conexión en paralelo
• Cambio rápido
• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)
• Controlador de puerta nivel lógico
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• RDS (ON) especificada con VGS es de 4V V y 5V A.
Aplicaciones
• Cargador de baterías
• Inversores
• Fuentes de alimentación
• Alimentación de modo conmutado (SMPS)
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