MOSFET Vishay, Tipo N-Canal IRLL014TRPBF, VDSS 60 V, ID 2.7 A, SOT-223 de 4 pines, 1, config. Simple

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
180-8823
Nº ref. fabric.:
IRLL014TRPBF
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.7A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.2Ω

Disipación de potencia máxima Pd

3.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

8.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±10 V

Configuración de transistor

Simple

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.3 mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.3mm

Altura

1.8mm

Número de elementos por chip

1

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Vishay


El MOSFET de Vishay es un encapsulado SOT-223-3 de canal N, un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 60V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 200mohm a una tensión de fuente de puerta de 5V V. El MOSFET tiene una disipación de potencia máxima de 3,1W mW. Tiene una tensión de accionamiento mínima y máxima de 4V V y 5V V respectivamente. Este producto se ha optimizado para reducir las pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas


• Disponible en cinta y carrete

• Índice dv/dt dinámico

• Facilidad de conexión en paralelo

• Cambio rápido

• Componente libre de halógenos y plomo (Pb)

• Controlador de puerta nivel lógico

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• RDS (ON) especificada con VGS es de 4V V y 5V A.

Aplicaciones


• Cargador de baterías

• Inversores

• Fuentes de alimentación

• Alimentación de modo conmutado (SMPS)

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