MOSFET Nexperia BSP250,115, VDSS 30 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
103-8317
Nº ref. fabric.:
BSP250,115
Fabricante:
Nexperia
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Marca

Nexperia

Tipo de Canal

P

Corriente Máxima Continua de Drenaje

3 A

Tensión Máxima Drenador-Fuente

30 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

250 mΩ

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

2.8V

Tensión de umbral de puerta mínima

1V

Disipación de Potencia Máxima

1,65 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Longitud

6.7mm

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Ancho

3.7mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Carga Típica de Puerta @ Vgs

10 nC a 10 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-65 °C

Altura

1.7mm

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, Nexperia



Transistores MOSFET, NXP Semiconductors

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