MOSFET Infineon BSP129H6906XTSA1, VDSS 240 V, ID 280 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:
165-5824
Nº ref. fabric.:
BSP129H6906XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

280 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

240 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Serie

SIPMOS®

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

6 Ω

Modo de Canal

Reducción

Tensión de umbral de puerta máxima

1V

Tensión de umbral de puerta mínima

2.1V

Disipación de Potencia Máxima

1,8 W

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-20 V, +20 V

Número de Elementos por Chip

1

Longitud

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Material del transistor

Si

Ancho

3.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

3,8 nC a 5 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C

Altura

1.6mm

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon


Transistores MOSFET, Infineon


Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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