MOSFET Infineon BSP129H6906XTSA1, VDSS 240 V, ID 280 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 826-9434
Nº ref. fabric.:: BSP129H6906XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP129H6906XTSA1, VDSS 240 V, ID 280 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Actualmente no es posible reservar este producto.

Lamentablemente no tenemos stock de este producto y no está disponible para reservar en este momento.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 25)

0,342 €

(exc. IVA)

0,414 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
25 +	0,342 €	8,55 €

*precio indicativo

Código RS:: 826-9434
Nº ref. fabric.:: BSP129H6906XTSA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	280 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	240 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	6 Ω
Modo de Canal	Reducción
Tensión de umbral de puerta máxima	1V
Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Carga Típica de Puerta @ Vgs	3,8 nC a 5 V
Longitud	6.5mm
Ancho	3.5mm
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C