MOSFET, N-Canal Infineon BSP129H6906XTSA1, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Reducción, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0530
- Nº ref. fabric.:
- BSP129H6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 250-0530
- Nº ref. fabric.:
- BSP129H6906XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Serie | BSP | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Serie BSP | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 280 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP129H6906XTSA1
Este transistor de pequeña señal es una solución eficaz para dispositivos que requieren alta tensión y capacidad de montaje en superficie. Como MOSFET de canal N en modo de agotamiento, permite un funcionamiento eficaz en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 240 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de 280 mA, este producto es idóneo para aplicaciones de automatización y automoción, lo que lo convierte en una opción fiable para gestionar la alimentación en diferentes circuitos electrónicos.
Características y ventajas
• La configuración de canal N permite operaciones de conmutación eficientes
• La funcionalidad del modo de agotamiento garantiza un rendimiento de corriente constante
• Las altas tensiones nominales proporcionan versatilidad en las aplicaciones
• El bajo voltaje de umbral de puerta mejora la compatibilidad del sistema
• El diseño de montaje en superficie permite realizar instalaciones que ocupan poco espacio
• Certificación AEC-Q101, apto para uso en automoción
Aplicaciones
• Adecuado para sistemas de control de automoción
• Puede utilizarse en circuitos de gestión de potencia
• Electrónica de consumo para mejorar la eficiencia
¿Cómo puede garantizarse una instalación adecuada para un rendimiento óptimo?
Instale el MOSFET en la placa de circuito impreso siguiendo las directrices de montaje especificadas, asegurando una correcta gestión térmica para una disipación eficaz del calor.
¿Qué hay que tener en cuenta para la gestión térmica durante el funcionamiento?
Hay que vigilar la resistencia térmica, ya que la temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C, lo que exige un diseño adecuado de la placa de circuito impreso para facilitar una conducción eficaz del calor.
¿Qué tipo de accionamiento se recomienda para este producto?
Una tensión de puerta dentro del rango especificado de ±20 V es esencial para unas características de conmutación óptimas, garantizando un funcionamiento fiable en todas las aplicaciones.
¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de conmutación de alta velocidad?
Sí, está diseñado para funcionar eficazmente en escenarios de conmutación de alta velocidad, gracias a los tiempos de retardo de conexión y desconexión especificados.
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las características de carga de la puerta?
La carga total de la puerta a 5 V es de aproximadamente 3,8 nC, lo que optimiza la eficiencia energética durante la conmutación sin imponer una carga excesiva a los circuitos de accionamiento.
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