MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP125H6433XTMA1, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 250-0528
- Nº ref. fabric.:
- BSP125H6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,064 € | 5,32 € |
| 50 - 120 | 0,914 € | 4,57 € |
| 125 - 245 | 0,852 € | 4,26 € |
| 250 - 495 | 0,784 € | 3,92 € |
| 500 + | 0,736 € | 3,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 250-0528
- Nº ref. fabric.:
- BSP125H6433XTMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 0.12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | BSP | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 0.12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie BSP | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Los productos de canal n de pequeña señal de Infineon son adecuados para aplicaciones de automoción. Este transistor de potencia SIPMOS es un modo de mejora de canal N con Vds de 600 V, Rds(on) de 45 Ω e Id de 0,12 A. Tiene clasificación dv/dt.
Chapado de cable sin plomo
La disipación de potencia máxima es de 360 mW
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