MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

2,24 €

(exc. IVA)

2,71 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2325 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 450,448 €2,24 €
50 - 1200,396 €1,98 €
125 - 2450,368 €1,84 €
250 - 4950,346 €1,73 €
500 +0,316 €1,58 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
258-3997
Nº ref. fabric.:
IRLL024ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzada

Resistencia de conexión muy baja

Unidad de puerta de nivel lógico

Temperatura de funcionamiento de 150 °C

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

Enlaces relacionados