MOSFET Infineon IRLL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223
- Código RS:
- 258-3997
- Nº ref. fabric.:
- IRLL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 258-3997
- Nº ref. fabric.:
- IRLL024ZTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología de procesos avanzada
Resistencia de conexión muy baja
Unidad de puerta de nivel lógico
Temperatura de funcionamiento de 150 °C
Conmutación rápida
Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax