MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 1.9 A, SOT-223
- Código RS:
- 257-5817P
- Nº ref. fabric.:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 257-5817P
- Nº ref. fabric.:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 55V | |
| Serie | HEXFET Fifth Generation | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.16Ω | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.1W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Lead-Free | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 55V | ||
Serie HEXFET Fifth Generation | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.16Ω | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.1W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Lead-Free | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un rendimiento extremadamente bajo.
Estructura de celda planar para SOA amplio
Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Calificación del producto conforme al estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz
Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector