MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFL014NTRPBF, VDSS 55 V, ID 1.9 A, SOT-223

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 paquete de 10 unidades)*

2,13 €

(exc. IVA)

2,58 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 4660 unidad(es) más para enviar a partir del 18 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
10 +0,213 €2,13 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
257-5817
Nº ref. fabric.:
IRFL014NTRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET Fifth Generation

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.16Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead-Free

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un rendimiento extremadamente bajo.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

Enlaces relacionados