MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
243-9272
Nº ref. fabric.:
ISP25DP06LMXTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Serie

ISP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de -1,9 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.

Tecnología de montaje en superficie

Disponibilidad de nivel lógico

Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)

Conmutación rápida

Resistencia en avalancha

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