MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP25DP06LMXTSA1, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
243-9273
Nº ref. fabric.:
ISP25DP06LMXTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Serie

ISP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.7mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Tensión directa Vf

1.1V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de señal pequeña de canal P de Infineon tiene un chapado de cable sin plomo. La corriente de drenaje y la tensión drenador-fuente del MOSFET son de -1,9 A y -60 V respectivamente. Tiene un valor de resistencia muy bajo. La temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y 150 °C.

Tecnología de montaje en superficie

Disponibilidad de nivel lógico

Fácil interfaz a unidad de microcontrolador (MCU)

Conmutación rápida

Resistencia en avalancha

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