MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 1.9 A, SOT-223

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Código RS:
257-5538
Número de artículo Distrelec:
304-40-532
Nº ref. fabric.:
IRFL014NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

HEXFET Fifth Generation

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.16Ω

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

Lead-Free

Estándar de automoción

No

El MOSFET de Infineon es un HEXFET de quinta generación de International Rectifier que utiliza técnicas de procesamiento avanzadas para lograr un rendimiento extremadamente bajo.

Estructura de celda planar para SOA amplio

Optimizado para la mayor disponibilidad de los socios de distribución

Calificación del producto conforme al estándar JEDEC

Silicio optimizado para aplicaciones conmutadas a continuación <100 kHz

Encapsulado de montaje en superficie estándar del sector

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