MOSFET Infineon, VDSS 55 V, ID 5 A, SOT-223

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Código RS:
258-3996
Nº ref. fabric.:
IRLL024ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Tensión directa Vf

1.2V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia HEXFET de Infineon está diseñado específicamente para aplicaciones de automoción. Este MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia de conexión muy baja por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de unión, velocidad de conmutación rápida y mejor calificación de avalancha repetitiva. Estas características se combinan para que este diseño sea un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.

Tecnología de procesos avanzada

Resistencia de conexión muy baja

Unidad de puerta de nivel lógico

Temperatura de funcionamiento de 150 °C

Conmutación rápida

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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