MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.2 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
911-4820
Nº ref. fabric.:
BSP603S2LHUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.2A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Serie

OptiMOS

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

33mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

31nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.5 mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.6mm

Estándar de automoción

AEC-Q

MOSFET de la serie OptiMOS™ de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP603S2LHUMA1


Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones eléctricas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, ofrece sólidas capacidades para la gestión y el control de la alimentación, lo que lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automoción y la electrónica.

Características y ventajas


• El bajo RDS(on) minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento

• La tensión umbral de puerta máxima mejora la eficiencia de la conmutación

• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso compactas

• Cualificado por la AEC para cumplir las estrictas normas de automoción

• Funcionamiento a altas temperaturas, hasta +150°C para una mayor durabilidad

Aplicaciones


• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil

• Adecuado para convertidores CC-CC de vehículos eléctricos

• Utilizado en el control de motores para robótica y automatización

• Interruptor de carga en electrónica de consumo

¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?


La carga de puerta típica es de 31nC, optimizando el rendimiento de conmutación a 10V.

¿Es adecuado para aplicaciones en entornos de altas temperaturas?


Sí, funciona de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, ideal para condiciones difíciles.

¿Cómo gestiona este componente cargas de corriente importantes?


Con una corriente de drenaje continua máxima de 5.2 A, gestiona eficazmente cargas elevadas manteniendo el rendimiento.

¿Puede este MOSFET reducir eficazmente las pérdidas de energía?


Sí, la característica de bajo RDS(on) minimiza la resistencia en estado encendido, ayudando a reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.

¿Cumple este producto las normas medioambientales?


Sí, es conforme a la directiva RoHS, lo que garantiza que cumple las normas de seguridad medioambiental para componentes electrónicos.

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