- Código RS:
- 830-3304
- Nº ref. fabric.:
- IRLL2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
220 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,658 €
(exc. IVA)
0,796 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
---|---|---|
20 - 80 | 0,658 € | 13,16 € |
100 - 180 | 0,507 € | 10,14 € |
200 - 480 | 0,474 € | 9,48 € |
500 - 980 | 0,441 € | 8,82 € |
1000 + | 0,408 € | 8,16 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 830-3304
- Nº ref. fabric.:
- IRLL2705TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon
La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
---|---|
Tipo de Canal | N |
Corriente Máxima Continua de Drenaje | 5,2 A |
Tensión Máxima Drenador-Fuente | 55 V |
Serie | HEXFET |
Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
Tipo de Montaje | Montaje superficial |
Conteo de Pines | 3 |
Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 65 mΩ |
Modo de Canal | Mejora |
Tensión de umbral de puerta máxima | 2V |
Tensión de umbral de puerta mínima | 1V |
Disipación de Potencia Máxima | 2,1 W |
Configuración de transistor | Simple |
Tensión Máxima Puerta-Fuente | -16 V, +16 V |
Número de Elementos por Chip | 1 |
Longitud | 6.7mm |
Ancho | 3.7mm |
Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
Carga Típica de Puerta @ Vgs | 32 nC a 10 V |
Material del transistor | Si |
Altura | 1.739mm |
Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
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