MOSFET Infineon BSP603S2LHUMA1, VDSS 55 V, ID 5,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 462-2935
Nº ref. fabric.:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP603S2LHUMA1, VDSS 55 V, ID 5,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

310 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,727 €

(exc. IVA)

2,09 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	1,727 €	17,27 €
50 - 90	1,64 €	16,40 €
100 - 240	1,477 €	14,77 €
250 - 490	1,329 €	13,29 €
500 +	1,264 €	12,64 €

*precio indicativo

Código RS:: 462-2935
Nº ref. fabric.:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Serie	OptiMOS™
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	33 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Material del transistor	Si
Longitud	6.5mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Ancho	3.5mm
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C