MOSFET Infineon BSP603S2LHUMA1, VDSS 55 V, ID 5,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 462-2935
Nº ref. fabric.:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP603S2LHUMA1, VDSS 55 V, ID 5,2 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 462-2935
Nº ref. fabric.:: BSP603S2LHUMA1
Fabricante:: Infineon

Familia de MOSFET de potencia OptiMOS™ de Infineon

Los productos OptiMOS™ están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para uso en las aplicaciones más exigentes con flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación.

Canal N - Modo de mejora
Certificación AEC Q101 para automoción
MSL1 con temperaturas de reflujo de pico de 260 °C
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Encapsulado ecológico (sin plomo)
RDS(on) ultrabajo

MOSFET de la serie OptiMOS™ de Infineon, corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP603S2LHUMA1

Este MOSFET de canal N está diseñado para ofrecer un rendimiento eficiente en diversas aplicaciones eléctricas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 5,2 A y una tensión de drenaje-fuente máxima de 55 V, ofrece sólidas capacidades para la gestión y el control de la alimentación, lo que lo convierte en un componente importante para los profesionales de los sectores de la automoción y la electrónica.

Características y ventajas

• El bajo RDS(on) minimiza la pérdida de potencia durante el funcionamiento
• La tensión umbral de puerta máxima mejora la eficiencia de la conmutación
• El diseño de montaje en superficie facilita la integración en placas de circuito impreso compactas
• Cualificado por la AEC para cumplir las estrictas normas de automoción
• Funcionamiento a altas temperaturas, hasta +150°C para una mayor durabilidad

Aplicaciones

• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Adecuado para convertidores CC-CC de vehículos eléctricos
• Utilizado en el control de motores para robótica y automatización
• Interruptor de carga en electrónica de consumo

¿Cuál es la carga de puerta típica a 10 V?

La carga de puerta típica es de 31nC, optimizando el rendimiento de conmutación a 10V.

¿Es adecuado para aplicaciones en entornos de altas temperaturas?

Sí, funciona de forma fiable a temperaturas de hasta +150 °C, ideal para condiciones difíciles.

¿Cómo gestiona este componente cargas de corriente importantes?

Con una corriente de drenaje continua máxima de 5.2 A, gestiona eficazmente cargas elevadas manteniendo el rendimiento.

¿Puede este MOSFET reducir eficazmente las pérdidas de energía?

Sí, la característica de bajo RDS(on) minimiza la resistencia en estado encendido, ayudando a reducir las pérdidas de energía durante el funcionamiento.

¿Cumple este producto las normas medioambientales?

Sí, es conforme a la directiva RoHS, lo que garantiza que cumple las normas de seguridad medioambiental para componentes electrónicos.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5,2 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	OptiMOS™
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	33 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Longitud	6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	31 nC a 10 V
Ancho	3.5mm
Estándar de automoción	AEC
Tensión de diodo directa	1.1V
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C