MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 4,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 168-8745
Nº ref. fabric.:: IRLL024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IRLL024NTRPBF, VDSS 55 V, ID 4,4 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

1540 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,288 €

(exc. IVA)

0,348 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 - 2500	0,288 €	720,00 €
5000 +	0,273 €	682,50 €

*precio indicativo

Código RS:: 168-8745
Nº ref. fabric.:: IRLL024NTRPBF
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: MY

Datos del Producto

MOSFET de potencia de canal N de 55V, Infineon

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	4,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	55 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	HEXFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	100 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1V
Disipación de Potencia Máxima	2,1 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-16 V, +16 V
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10,4 nC a 5 V
Longitud	6.7mm
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.7mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.739mm