MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFL024ZTRPBF, VDSS 55 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 25 unidades)*

11,35 €

(exc. IVA)

13,725 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • 250 Envío desde el 02 de febrero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
25 - 1000,454 €11,35 €
125 - 2250,431 €10,78 €
250 - 6000,413 €10,33 €
625 - 12250,272 €6,80 €
1250 +0,216 €5,40 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
262-6766
Nº ref. fabric.:
IRFL024ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este diseño tiene características adicionales como temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada.

Resistencia de conexión ultrabaja

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

Enlaces relacionados