MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 5.1 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
262-6765
Nº ref. fabric.:
IRFL024ZTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

5.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Este diseño tiene características adicionales como temperatura de funcionamiento de unión de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y calificación de avalancha repetitiva mejorada.

Resistencia de conexión ultrabaja

Avalanche repetitivo permitido hasta Tjmax

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