MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
262-6763
Nº ref. fabric.:
IRFL024NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.075Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.3V

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

El MOSFET de potencia Infineon utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una resistencia extremadamente baja por área de silicio. Proporciona al diseñador un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en una amplia variedad de aplicaciones.

Resistencia de conexión ultrabaja

Valor nominal dv/dt dinámico

Fija la conmutación

Valor nominal de avalancha total

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