MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

Ver todo MOSFET
No disponible actualmente
Desconocemos si volveremos a disponer de este artículo. RS tiene previsto retirarlo próximamente de nuestra gama de productos.
Código RS:
250-0565
Nº ref. fabric.:
ISP25DP06LMSATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

-2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-223

Serie

ISP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de señal pequeña de canal P OptiMOS™ de Infineon de 60 V en encapsulado SOT-223 son la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de consumo. La principal ventaja de un dispositivo de señal pequeña de canal P es la reducción de la complejidad de diseño en aplicaciones de potencia media y baja.

Interfaz sencilla a MCU

Conmutación rápida

Resistencia a la avalancha

Enlaces relacionados

Recently viewed