MOSFET, Tipo P-Canal Infineon ISP25DP06LMSATMA1, VDSS 40 V, ID -2.8 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0566
Nº ref. fabric.:
ISP25DP06LMSATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

-2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

ISP

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión directa Vf

1V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los MOSFET de señal pequeña de canal P OptiMOS™ de Infineon de 60 V en encapsulado SOT-223 son la nueva tecnología dirigida a aplicaciones de consumo. La principal ventaja de un dispositivo de señal pequeña de canal P es la reducción de la complejidad de diseño en aplicaciones de potencia media y baja.

Interfaz sencilla a MCU

Conmutación rápida

Resistencia a la avalancha

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