MOSFET Infineon IRLL014NTRPBF, VDSS 55 V, ID 2,8 A, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

La gama de MOSFET de potencia HEXFET® discretos de Infineon incluye dispositivos de canal N de montaje en superficie y encapsulados de conexión y factores de forma que se pueden adaptar a la mayoría de diseños de placas y factores térmicos. La gama completa de referencia reduce las pérdidas en unidades de resistencia, lo que permite a los diseñadores proporcionar una eficiencia óptima del sistema.

Este MOSFET de Infineon, que forma parte de la familia HEXFET, está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones eléctricas y electrónicas. Como dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora, desempeña un papel vital en la gestión de energía para dispositivos que exigen una alta fiabilidad en condiciones difíciles. Se han integrado tecnologías avanzadas para gestionar eficazmente cargas eléctricas considerables manteniendo un diseño compacto.

• Corriente de drenaje continua máxima de 2,8 A para un rendimiento fiable
• Amplia gama de tensiones de hasta 55 V para diversas aplicaciones
• La baja resistencia de drenaje-fuente de 280mΩ minimiza las pérdidas de potencia
• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C
• Opciones de tensión umbral de puerta mejoradas para aumentar la capacidad de conmutación
• Diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que facilita la integración en placas de circuito impreso

• Utilizados en sistemas de automatización para un control eficaz de los motores
• Se emplea en circuitos de alimentación para regular eficazmente la tensión
• Apto para conmutación en dispositivos electrónicos
• Integrado en sistemas de gestión de baterías para optimizar el uso de la energía
• Aplicable en controladores LED para mejorar la eficacia del control

La utilización de técnicas de montaje en superficie garantiza un mejor rendimiento térmico y una mayor eficiencia de espacio en las placas de circuitos impresos.

Es importante mantener la tensión puerta-fuente dentro de los límites especificados de -16V a +16V para garantizar la integridad y el rendimiento del dispositivo.

Está preparado para funcionar en entornos de hasta +150 °C, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta temperatura.

Sí, puede gestionar aplicaciones de baja tensión al tiempo que proporciona un control de potencia y una eficiencia de conmutación eficaces.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.