MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 55 V, ID 2.8 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
168-8748
Nº ref. fabric.:
IRLL014NTRPBF
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

2.8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

55V

Encapsulado

SOT-223

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.5nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

2.1W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

16 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

1.739mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.7 mm

Longitud

6.7mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET Infineon serie HEXFET, corriente de drenaje continua máxima de 2,8A, disipación de potencia máxima de 2,1W - IRLL014NTRPBF


Este MOSFET de Infineon, que forma parte de la familia HEXFET, está diseñado para ofrecer un alto rendimiento en diversas aplicaciones eléctricas y electrónicas. Como dispositivo de canal N que funciona en modo de mejora, desempeña un papel vital en la gestión de energía para dispositivos que exigen una alta fiabilidad en condiciones difíciles. Se han integrado tecnologías avanzadas para gestionar eficazmente cargas eléctricas considerables manteniendo un diseño compacto.

Características y ventajas


• Corriente de drenaje continua máxima de 2,8 A para un rendimiento fiable

• Amplia gama de tensiones de hasta 55 V para diversas aplicaciones

• La baja resistencia de drenaje-fuente de 280mΩ minimiza las pérdidas de potencia

• Alta estabilidad térmica con una temperatura máxima de funcionamiento de +150°C

• Opciones de tensión umbral de puerta mejoradas para aumentar la capacidad de conmutación

• Diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que facilita la integración en placas de circuito impreso

Aplicaciones


• Utilizados en sistemas de automatización para un control eficaz de los motores

• Se emplea en circuitos de alimentación para regular eficazmente la tensión

• Apto para conmutación en dispositivos electrónicos

• Integrado en sistemas de gestión de baterías para optimizar el uso de la energía

• Aplicable en controladores LED para mejorar la eficacia del control

¿Cuál es la técnica de montaje recomendada para un rendimiento óptimo?


La utilización de técnicas de montaje en superficie garantiza un mejor rendimiento térmico y una mayor eficiencia de espacio en las placas de circuitos impresos.

¿Cómo debe tenerse en cuenta la tensión máxima puerta-fuente al diseñar circuitos?


Es importante mantener la tensión puerta-fuente dentro de los límites especificados de -16V a +16V para garantizar la integridad y el rendimiento del dispositivo.

¿Puede este componente soportar altas temperaturas en entornos operativos?


Está preparado para funcionar en entornos de hasta +150 °C, por lo que es adecuado para aplicaciones de alta temperatura.

¿Es compatible con los sistemas de baterías de bajo voltaje?


Sí, puede gestionar aplicaciones de baja tensión al tiempo que proporciona un control de potencia y una eficiencia de conmutación eficaces.

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