MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 0.12 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0533
Nº ref. fabric.:
BSP296NH6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El transistor de señal pequeña OptiMOS de Infineon tiene un canal N, modo de mejora y nivel lógico Tiene un valor nominal de 4,5 V. Tiene clasificación de avalancha, 100 % sin plomo y sin halógenos.

Clasificación de avalancha y 100 % sin plomo

Vds es de 100 V e ID es de 1,2 A

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