MOSFET Infineon BSP149H6906XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines

Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Tiene un valor nominal dv /dt y está disponible con indicador VGS(th) en el carrete. El VDS es de 200 V, RDS(on)max es de 3,5 Ω mientras que IDSS, mín. es de 0,14 A.

Chapado sin plomo y sin halógenos
Se suministra en un SOT233