MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Reducción, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0531
Nº ref. fabric.:
BSP149H6906XTSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

BSP

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Reducción

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Infineon hace que el transistor MOSFET de señal pequeña de modo de agotamiento de canal N se utilice ampliamente en aplicaciones de conmutación alta. Tiene un nivel de avalancha y no contiene halógenos. Tiene un valor nominal dv /dt y está disponible con indicador VGS(th) en el carrete. El VDS es de 200 V, RDS(on)max es de 3,5 Ω mientras que IDSS, mín. es de 0,14 A.

Chapado sin plomo y sin halógenos

Se suministra en un SOT233

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