MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
250-0527
Nº ref. fabric.:
BSP125H6433XTMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

0.12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSP

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.4mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los productos de canal n de pequeña señal de Infineon son adecuados para aplicaciones de automoción. Este transistor de potencia SIPMOS es un modo de mejora de canal N con Vds de 600 V, Rds(on) de 45 Ω e Id de 0,12 A. Tiene clasificación dv/dt.

Chapado de cable sin plomo

La disipación de potencia máxima es de 360 mW

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