MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Reducción, SOT-223 de 3 pines

Código RS:: 250-0529
Nº ref. fabric.:: BSP129H6906XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 40 V, ID 0.12 A, Reducción, SOT-223 de 3 pines

Subtotal (1 bobina de 1000 unidades)*

308,00 €

(exc. IVA)

373,00 €

(inc.IVA)

Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €

Últimas existencias de RS

Última(s) 4000 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)	Por unidad	Por Bobina*
1000 +	0,308 €	308,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 250-0529
Nº ref. fabric.:: BSP129H6906XTSA1
Fabricante:: Infineon

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	0.12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	40V
	Serie	BSP
	Encapsulado	SOT-223
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	1.4mΩ
	Modo de canal	Reducción
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	80nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	20V
	Tensión directa Vf	1V
	Disipación de potencia máxima Pd	81W
	Temperatura de funcionamiento máxima	175°C
	Certificaciones y estándares	RoHS
	Estándar de automoción	AEC-Q101

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 0.12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V
	Serie BSP
	Encapsulado SOT-223
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 3
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.4mΩ
	Modo de canal Reducción
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V
	Tensión directa Vf 1V
	Disipación de potencia máxima Pd 81W
	Temperatura de funcionamiento máxima 175°C
	Certificaciones y estándares RoHS
	Estándar de automoción AEC-Q101

Datasheet - BSP129H6906XTSA1

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 280 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP129H6906XTSA1

Este transistor de pequeña señal es una solución eficaz para dispositivos que requieren alta tensión y capacidad de montaje en superficie. Como MOSFET de canal N en modo de agotamiento, permite un funcionamiento eficaz en diversas aplicaciones electrónicas. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 240 V y una capacidad de corriente de drenaje continua de 280 mA, este producto es idóneo para aplicaciones de automatización y automoción, lo que lo convierte en una opción fiable para gestionar la alimentación en diferentes circuitos electrónicos.

Características y ventajas

• La configuración de canal N permite operaciones de conmutación eficientes

• La funcionalidad del modo de agotamiento garantiza un rendimiento de corriente constante

• Las altas tensiones nominales proporcionan versatilidad en las aplicaciones

• El bajo voltaje de umbral de puerta mejora la compatibilidad del sistema

• El diseño de montaje en superficie permite realizar instalaciones que ocupan poco espacio

• Certificación AEC-Q101, apto para uso en automoción

Aplicaciones

• Adecuado para sistemas de control de automoción

• Puede utilizarse en circuitos de gestión de potencia

• Electrónica de consumo para mejorar la eficiencia

¿Cómo puede garantizarse una instalación adecuada para un rendimiento óptimo?

Instale el MOSFET en la placa de circuito impreso siguiendo las directrices de montaje especificadas, asegurando una correcta gestión térmica para una disipación eficaz del calor.

¿Qué hay que tener en cuenta para la gestión térmica durante el funcionamiento?

Hay que vigilar la resistencia térmica, ya que la temperatura de funcionamiento oscila entre -55 °C y +150 °C, lo que exige un diseño adecuado de la placa de circuito impreso para facilitar una conducción eficaz del calor.

¿Qué tipo de accionamiento se recomienda para este producto?

Una tensión de puerta dentro del rango especificado de ±20 V es esencial para unas características de conmutación óptimas, garantizando un funcionamiento fiable en todas las aplicaciones.

¿Puede utilizarse este MOSFET en aplicaciones de conmutación de alta velocidad?

Sí, está diseñado para funcionar eficazmente en escenarios de conmutación de alta velocidad, gracias a los tiempos de retardo de conexión y desconexión especificados.

¿Qué hay que tener en cuenta en relación con las características de carga de la puerta?

La carga total de la puerta a 5 V es de aproximadamente 3,8 nC, lo que optimiza la eficiencia energética durante la conmutación sin imponer una carga excesiva a los circuitos de accionamiento.