MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 911-4808
- Nº ref. fabric.:
- BSP149H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
1000 Disponible para entrega en 24/48 horas
Añadido
Precio unitario (Suministrado en Carretes de 1000)
0,564 €
(exc. IVA)
0,682 €
(inc.IVA)
| Unidades | Por unidad | Por Carrete* |
| 1000 - 1000 | 0,564 € | 564,00 € |
| 2000 + | 0,536 € | 536,00 € |
| *precio indicativo | ||
- Código RS:
- 911-4808
- Nº ref. fabric.:
- BSP149H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
- COO (País de Origen):
- MY
Datos del Producto
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 660 mA |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
| Serie | SIPMOS |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 1,8 Ω |
| Modo de Canal | Reducción |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 1V |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 2.1V |
| Disipación de Potencia Máxima | 1,8 W |
| Configuración de transistor | Simple |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -20 V, +20 V |
| Material del transistor | Si |
| Longitud | 6.5mm |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 11 nC a 5 V |
| Ancho | 3.5mm |
| Altura | 1.6mm |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C |
- Código RS:
- 911-4808
- Nº ref. fabric.:
- BSP149H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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