MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 911-4808
- Nº ref. fabric.:
- BSP149H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-4808
- Nº ref. fabric.:
- BSP149H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 660mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 11nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 660mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 11nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP149H6327XTSA1
Este MOSFET es un componente esencial diseñado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas, que ofrece un rendimiento eficiente dentro de un encapsulado compacto de montaje superficial. Resulta muy adecuado para controlar circuitos de automatización y es pertinente para usuarios de los sectores electrónico, eléctrico y mecánico. La característica del modo de agotamiento mejora el control para aplicaciones de conmutación, lo que lo convierte en una opción adecuada para los ingenieros.
Características y ventajas
• Tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V para aplicaciones de alta tensión
• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 660 mA
• Utiliza la tecnología SIPMOS para un rendimiento constante
• Cumple la directiva RoHS con revestimiento de plomo sin Pb
• dv/dt para una mayor resistencia a las variaciones de tensión
Aplicaciones
• Driver en sistemas de automatización
• Fuentes de alimentación conmutadas para la gestión de la energía
• Electrónica de automoción conforme a las normas AEC-Q101
¿Qué importancia tiene la característica del modo de agotamiento?
El modo de agotamiento permite un control eficaz del MOSFET, lo que posibilita una conmutación efectiva incluso a tensiones más bajas, beneficiosa en diversos diseños electrónicos.
¿Cómo gestiona el dispositivo los retos térmicos?
Funciona en un amplio intervalo de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones térmicas extremas, gracias a su eficaz capacidad de gestión térmica.
¿Cuáles son los valores de tensión de umbral de puerta de este componente?
La tensión de umbral de puerta oscila entre -2,1 V y -1 V, lo que proporciona opciones de conmutación versátiles para los distintos requisitos de los circuitos.
¿Qué implicaciones tiene la clasificación de clase ESD?
La clasificación ESD Class 1B indica un diseño capaz de soportar niveles de descarga electrostática de entre 500 V y 600 V, lo que mejora la fiabilidad del dispositivo en aplicaciones sensibles.
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