MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 190 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 bobina de 3000 unidades)*

114,00 €

(exc. IVA)

138,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 3000 unidad(es) más para enviar a partir del 05 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
3000 - 30000,038 €114,00 €
6000 - 120000,036 €108,00 €
15000 +0,035 €105,00 €

*precio indicativo

Código RS:
225-0556
Nº ref. fabric.:
BSS123IXTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

190mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

100V

Encapsulado

SOT-223

Serie

BSS123I

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

10Ω

Modo de canal

Reducción

Tensión directa Vf

1.1V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

0.5W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

0.63nC

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.8mm

Anchura

3.7 mm

Estándar de automoción

No

El Infineon BSS123I es el MOSFET de canal N y P de potencia pequeña y señal pequeña que proporciona una amplia gama de niveles VGS(th) y valores RDS(on), así como varias clases de tensión. Este MOSFET tiene opciones de modo de reducción y mejora.

Ahorro de espacio y costes en PCB

Flexibilidad de accionamiento de puerta

Reducción de la complejidad del diseño

Respetuosa con el medio ambiente

Alta eficiencia general

Enlaces relacionados