MOSFET, N-Canal Infineon BSS123IXTSA1, VDSS 100 V, ID 190 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 225-0557
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-400
- Nº ref. fabric.:
- BSS123IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidadSubtotal (1 paquete de 100 unidades)*
9,00 €
(exc. IVA)
11,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 200 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
- Disponible(s) 3200 unidad(es) más para enviar a partir del 01 de octubre de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 100 - 400 | 0,09 € | 9,00 € |
| 500 - 900 | 0,076 € | 7,60 € |
| 1000 - 2400 | 0,072 € | 7,20 € |
| 2500 - 4900 | 0,065 € | 6,50 € |
| 5000 + | 0,048 € | 4,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 225-0557
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-400
- Nº ref. fabric.:
- BSS123IXTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 190mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Serie | BSS123I | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 0.63nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 0.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 3.7mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.8mm | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 190mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Serie BSS123I | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 0.63nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 0.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 3.7mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.8mm | ||
Longitud 6.7mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET de la serie BSS123I de Infineon, tensión de fuente de drenaje máxima de 100 V, corriente de drenaje continua máxima de 190 mA - BSS123IXTSA1
Este MOSFET es un transistor de canal N de pequeña señal diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, que proporciona funciones de conmutación y amplificación en un amplio rango de temperaturas. Está diseñado para circuitos que requieren un dispositivo de modo de agotamiento con un manejo de corriente modesto y una capacidad de tensión moderada, adecuado para conjuntos compactos donde se requiere un encapsulado SOT-223 y un manejo de potencia conservador.
Características y ventajas:
• El valor nominal de drenaje a fuente de 100 V proporciona capacidad de conmutación de alta tensión
• La RDS(on) máxima de 10 Ω proporciona conducción controlada en estado activo
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite cargas de baja corriente
• La disipación de potencia de 0,5 W limita la tensión térmica en configuraciones restringidas
• La carga de puerta típica de 0,63 nC permite demandas de energía de conmutación modestas
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite una amplia flexibilidad de accionamiento de puerta
• La RDS(on) máxima de 10 Ω proporciona conducción controlada en estado activo
• La corriente de drenaje continua de 190 mA admite cargas de baja corriente
• La disipación de potencia de 0,5 W limita la tensión térmica en configuraciones restringidas
• La carga de puerta típica de 0,63 nC permite demandas de energía de conmutación modestas
• La tolerancia de puerta de ±20 V permite una amplia flexibilidad de accionamiento de puerta
Aplicaciones
• Se utiliza para conmutación de alta tensión de baja corriente en circuitos de control
• Adecuado para la gestión de potencia de montaje en superficie en placas compactas
• Ideal para atenuación de señales analógicas o funciones de retracción
• Puede utilizarse para el cambio de nivel en sistemas de tensión mixta
• Se utiliza con etapas de accionamiento que necesitan características de modo de agotamiento
• Adecuado para la gestión de potencia de montaje en superficie en placas compactas
• Ideal para atenuación de señales analógicas o funciones de retracción
• Puede utilizarse para el cambio de nivel en sistemas de tensión mixta
• Se utiliza con etapas de accionamiento que necesitan características de modo de agotamiento
¿En qué rango de temperatura ambiente puede funcionar?
Está especificado para funcionar correctamente desde -55 °C hasta 150 °C.
¿Qué encapsulado deben planificar los diseñadores al colocar la placa?
El dispositivo se suministra en un encapsulado de montaje en superficie SOT-223 con cuatro contactos para la planificación de la huella de PCB.
¿Cómo afecta su carga de puerta al rendimiento de conmutación?
Una carga de puerta típica de 0,63 nC reduce la energía de accionamiento de puerta necesaria e influye en la velocidad de transición en topologías de conmutación.
¿Qué limita la corriente continua máxima en las aplicaciones?
La corriente de drenaje continua especificada de 190 mA define límites térmicos y de conducción para un funcionamiento sostenido.
¿Se trata de un componente de grado automovilístico?
No está clasificado conforme a los estándares de automoción y no debe suponerse que cumple la calificación de automoción.
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 100 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 40 V Reducción, SOT-223 de 3 pines
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 200 V Reducción, SOT-223 de 4 pines
- MOSFET VDSS 600 V Reducción, SOT-223 de 4 pines