MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSP129H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 350 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 753-2800
- Nº ref. fabric.:
- BSP129H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,498 € | 2,49 € |
| 50 - 120 | 0,444 € | 2,22 € |
| 125 - 245 | 0,412 € | 2,06 € |
| 250 - 495 | 0,382 € | 1,91 € |
| 500 + | 0,36 € | 1,80 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 753-2800
- Nº ref. fabric.:
- BSP129H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 240V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 20Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.8nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Anchura | 3.5 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 20Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.8nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Anchura 3.5 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon
Transistores MOSFET, Infineon
Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.
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