MOSFET, N-Canal Infineon BSP89H6327XTSA1, VDSS 240 V, ID 350 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 445-2281
- Nº ref. fabric.:
- BSP89H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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| 50 - 245 | 0,874 € | 4,37 € |
| 250 - 495 | 0,818 € | 4,09 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 445-2281
- Nº ref. fabric.:
- BSP89H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 350mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 240V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 6Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 4.3nC | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -20V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.6mm | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 3.5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 350mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 240V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie SIPMOS | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 6Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 4.3nC | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -20V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.6mm | ||
Longitud 6.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 3.5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 350 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP89H6327XTSA1
Este MOSFET es un componente clave para aplicaciones electrónicas de alto voltaje, ya que proporciona una capacidad de conmutación eficaz. Utilizando la tecnología de modo de mejora de canal N, es adecuado para la electrónica de automoción e industrial, garantizando un funcionamiento eficaz en diversas condiciones. El encapsulado SOT-223 permite un montaje versátil en superficie, por lo que resulta adecuado para los diseños de circuitos actuales.
Características y ventajas
• Corriente de drenaje continua máxima de 350 mA
• Tensión nominal de drenaje de 240 V para mayor seguridad
• La baja tensión de umbral de puerta mejora la sensibilidad
• Capacidad de disipación de potencia de hasta 1,8 W
• Ideal para aplicaciones de nivel lógico con tiempos de conmutación rápidos
Aplicaciones
• Gestión de la energía en la electrónica del automóvil
• Fuentes de alimentación conmutadas basadas en MOSFET
• Amplificación de señales en circuitos electrónicos
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento?
Funciona eficazmente en un rango de temperaturas de -55 °C a +150 °C, adecuado para diversas condiciones ambientales.
¿Cómo afecta la tensión de umbral de puerta al rendimiento?
Una tensión de umbral de puerta baja permite al MOSFET activarse a tensiones de entrada más bajas, lo que mejora la eficiencia en dispositivos que funcionan con baterías.
¿Qué tipo de montaje es compatible con este dispositivo?
Este componente está diseñado para montaje en superficie en un encapsulado SOT-223, lo que facilita su integración en placas de circuito impreso.
¿Puede soportar corrientes de drenaje pulsadas?
Sí, puede gestionar corrientes de drenaje pulsadas de hasta 1,4 A, lo que ofrece flexibilidad adicional para aplicaciones de potencia de ráfaga.
¿Se puede utilizar con microcontroladores?
Sí, su compatibilidad a nivel lógico permite la interconexión directa con las salidas del microcontrolador para un control eficaz.
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