MOSFET, Tipo P-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 1.9 A, Mejora, SOT-223 de 4 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal 100 unidades (suministrado en una tira continua)*

59,90 €

(exc. IVA)

72,50 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Agotado temporalmente
  • Disponible(s) 20.560 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
100 - 2400,599 €
250 - 4900,587 €
500 - 9900,55 €
1000 +0,511 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
167-942P
Nº ref. fabric.:
BSP171PH6327XTSA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo P

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

1.9A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

SOT-223

Serie

SIPMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

300mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

13nC

Disipación de potencia máxima Pd

1.8W

Tensión directa Vf

-1.1V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Anchura

3.5 mm

Altura

1.6mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 1,9 A, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP171PH6327XTSA1


Este MOSFET está diseñado para aplicaciones de conmutación de alto rendimiento, utilizando la tecnología de canal P. Con tecnología SIPMOS®, garantiza un funcionamiento fiable en un encapsulado compacto SOT-223, lo que lo convierte en una opción adecuada para aplicaciones industriales y de automoción. La corriente de drenaje continua nominal de 1,9 A y una tensión máxima de 60 V aumentan su eficacia en la gestión eficiente de la energía en diversos usos.

Características y ventajas


• La configuración de canal P admite aplicaciones de conmutación de lado bajo

• El funcionamiento en modo de mejora favorece un rendimiento eficiente

• El diseño de montaje en superficie ahorra un valioso espacio en la placa de circuito impreso

• Clasificado para altas temperaturas de hasta +150°C, lo que garantiza su durabilidad

• La baja Rds(on) disminuye la pérdida de potencia durante la conmutación

Aplicaciones


• Conmutación de cargas en la electrónica del automóvil

• Circuitos de gestión de potencia para la eficiencia energética

• Alta frecuencia que requieren una conmutación rápida

• Cargas motrices en dispositivos electrónicos de consumo

• Circuitos de alimentación que requieren soluciones compactas

¿Cuál es la tensión de drenaje-fuente máxima que puede soportar este componente?


El componente puede soportar una tensión de drenaje-fuente máxima de 60 V, lo que lo hace adecuado para diversas aplicaciones.

¿Cómo se comporta este componente a temperaturas elevadas?


Funciona eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, ofreciendo rendimiento en entornos exigentes.

¿Puede utilizarse en circuitos alimentados por pilas?


Sí, su baja Rds(on) reduce significativamente la pérdida de potencia, por lo que es muy adecuado para dispositivos que funcionan con pilas.

¿Qué importancia tiene la clasificación de avalancha?


La clasificación de avalancha indica que el dispositivo puede absorber picos de energía, lo que aumenta su durabilidad y fiabilidad durante los transitorios.

¿Cómo puedo garantizar una instalación correcta en la placa de circuito impreso?


Es esencial respetar las especificaciones de dimensiones del encapsulado SOT-223 y aplicar una gestión térmica adecuada durante la instalación.

Enlaces relacionados