MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 354-5720
Número de artículo Distrelec:: 302-83-878
Nº ref. fabric.:: BSP149H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP149H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 354-5720
Número de artículo Distrelec:: 302-83-878
Nº ref. fabric.:: BSP149H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP149H6327XTSA1

Este MOSFET es un componente esencial diseñado para una amplia gama de aplicaciones electrónicas, que ofrece un rendimiento eficiente dentro de un encapsulado compacto de montaje superficial. Resulta muy adecuado para controlar circuitos de automatización y es pertinente para usuarios de los sectores electrónico, eléctrico y mecánico. La característica del modo de agotamiento mejora el control para aplicaciones de conmutación, lo que lo convierte en una opción adecuada para los ingenieros.

Características y ventajas

• Tensión de drenaje-fuente máxima de 200 V para aplicaciones de alta tensión
• Capacidad de corriente de drenaje continua de hasta 660 mA
• Utiliza la tecnología SIPMOS para un rendimiento constante
• Cumple la directiva RoHS con revestimiento de plomo sin Pb
• dv/dt para una mayor resistencia a las variaciones de tensión

Aplicaciones

• Driver en sistemas de automatización
• Fuentes de alimentación conmutadas para la gestión de la energía
• Electrónica de automoción conforme a las normas AEC-Q101

¿Qué importancia tiene la característica del modo de agotamiento?

El modo de agotamiento permite un control eficaz del MOSFET, lo que posibilita una conmutación efectiva incluso a tensiones más bajas, beneficiosa en diversos diseños electrónicos.

¿Cómo gestiona el dispositivo los retos térmicos?

Funciona en un amplio intervalo de temperaturas de -55 °C a +150 °C, lo que garantiza un rendimiento fiable incluso en condiciones térmicas extremas, gracias a su eficaz capacidad de gestión térmica.

¿Cuáles son los valores de tensión de umbral de puerta de este componente?

La tensión de umbral de puerta oscila entre -2,1 V y -1 V, lo que proporciona opciones de conmutación versátiles para los distintos requisitos de los circuitos.

¿Qué implicaciones tiene la clasificación de clase ESD?

La clasificación ESD Class 1B indica un diseño capaz de soportar niveles de descarga electrostática de entre 500 V y 600 V, lo que mejora la fiabilidad del dispositivo en aplicaciones sensibles.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

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Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Infineon
	Tipo de Canal	N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje	660 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
	Tipo de Encapsulado	SOT-223
	Serie	SIPMOS®
	Tipo de Montaje	Montaje superficial
	Conteo de Pines	3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,8 Ω
	Modo de Canal	Reducción
	Tensión de umbral de puerta máxima	1V
	Tensión de umbral de puerta mínima	2.1V
	Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
	Configuración de transistor	Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
	Material del transistor	Si
	Número de Elementos por Chip	1
	Longitud	6.5mm
	Ancho	3.5mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs	11 nC a 5 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
	Estándar de automoción	AEC-Q101
	Tensión de diodo directa	1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
	Altura	1.6mm

	Seleccionar todo
	Marca Infineon
	Tipo de Canal N
	Corriente Máxima Continua de Drenaje 660 mA
	Tensión Máxima Drenador-Fuente 200 V
	Tipo de Encapsulado SOT-223
	Serie SIPMOS®
	Tipo de Montaje Montaje superficial
	Conteo de Pines 3
	Resistencia Máxima Drenador-Fuente 1,8 Ω
	Modo de Canal Reducción
	Tensión de umbral de puerta máxima 1V
	Tensión de umbral de puerta mínima 2.1V
	Disipación de Potencia Máxima 1,8 W
	Configuración de transistor Simple
	Tensión Máxima Puerta-Fuente -20 V, +20 V
	Material del transistor Si
	Número de Elementos por Chip 1
	Longitud 6.5mm
	Ancho 3.5mm
	Carga Típica de Puerta @ Vgs 11 nC a 5 V
	Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C
	Estándar de automoción AEC-Q101
	Tensión de diodo directa 1.2V
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C
	Altura 1.6mm