MOSFET Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 911-0929
Nº ref. fabric.:: BSP297H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon BSP297H6327XTSA1, VDSS 200 V, ID 660 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple

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Código RS:: 911-0929
Nº ref. fabric.:: BSP297H6327XTSA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET de canal N SIPMOS® de Infineon

MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP297H6327XTSA1

Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 660 mA y una tensión de ruptura de 200 V, es adecuado para su uso en diversos entornos. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en sistemas automatizados, por lo que es aplicable tanto en el sector electrónico como en el de la automoción.

Características y ventajas

• La configuración de canal N mejora la eficiencia de conmutación
• La baja tensión de umbral de puerta garantiza la compatibilidad con los niveles lógicos
• Las altas tensiones nominales se adaptan a una amplia gama de aplicaciones
• La mayor capacidad de disipación de energía favorece una gestión térmica eficaz
• La cualificación AEC-Q101 cumple las normas de la industria automovilística
• El encapsulado compacto SOT-223 permite diseños que ocupan poco espacio

Aplicaciones

• Utilizado para el control de motores en sistemas de automoción
• Aplicado a la gestión de la energía en la electrónica de consumo
• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para regular la energía
• Se emplea en la amplificación de señales en dispositivos de comunicación
• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas que mejoran la eficiencia

¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para un rendimiento óptimo?

El componente puede funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones de alta temperatura.

¿Cómo debe instalarse el MOSFET para obtener los mejores resultados?

Utiliza la tecnología de montaje en superficie para la instalación en una placa de circuito impreso compatible, garantizando una soldadura correcta para mantener la integridad de la conexión.

¿De qué tipo de materiales está hecho este MOSFET?

Está fabricado con silicio (Si), lo que contribuye a su rendimiento y fiabilidad en diversos usos.

¿Puede soportar condiciones de tensión severas durante el funcionamiento?

Sí, tiene una tensión máxima de ruptura drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje.

¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?

La carga de puerta total típica es de 12,9nC a 10V, lo que garantiza tiempos de conmutación rápidos y una mayor eficiencia del circuito.

Transistores MOSFET, Infineon

Infineon ofrece una amplia y completa gama de dispositivos MOSFET entre los que se incluyen las familias CoolMOS, OptiMOS y StrongIRFET. Ofrecen el mejor rendimiento de su clase y más eficacia, densidad de potencia y rentabilidad. Los diseños que requieren una alta calidad y una mayor protección se benefician los MOSFET para automoción compatibles con los estándares de la industria AEC-Q101.

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	660 mA
Tensión Máxima Drenador-Fuente	200 V
Tipo de Encapsulado	SOT-223
Serie	SIPMOS®
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,8 Ω
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	1.8V
Tensión de umbral de puerta mínima	0.8V
Disipación de Potencia Máxima	1,8 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	3.5mm
Material del transistor	Si
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	6.5mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	12,9 nC a 10 V
Altura	1.6mm
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C