MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 200 V, ID 660 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 911-0929
- Nº ref. fabric.:
- BSP297H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-0929
- Nº ref. fabric.:
- BSP297H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 660mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 200V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.8Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.9nC | |
| Tensión directa Vf | 0.84V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 660mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 200V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.8Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.9nC | ||
Tensión directa Vf 0.84V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- CN
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 660 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP297H6327XTSA1
Este MOSFET está diseñado para ofrecer un rendimiento de conmutación eficiente en diversas aplicaciones electrónicas. Con una corriente de drenaje continua máxima de 660 mA y una tensión de ruptura de 200 V, es adecuado para su uso en diversos entornos. Su diseño de montaje en superficie simplifica la integración en sistemas automatizados, por lo que es aplicable tanto en el sector electrónico como en el de la automoción.
Características y ventajas
• La configuración de canal N mejora la eficiencia de conmutación
• La baja tensión de umbral de puerta garantiza la compatibilidad con los niveles lógicos
• Las altas tensiones nominales se adaptan a una amplia gama de aplicaciones
• La mayor capacidad de disipación de energía favorece una gestión térmica eficaz
• La cualificación AEC-Q101 cumple las normas de la industria automovilística
• El encapsulado compacto SOT-223 permite diseños que ocupan poco espacio
Aplicaciones
• Utilizado para el control de motores en sistemas de automoción
• Aplicado a la gestión de la energía en la electrónica de consumo
• Se utiliza en sistemas de gestión de baterías para regular la energía
• Se emplea en la amplificación de señales en dispositivos de comunicación
• Ideal para fuentes de alimentación conmutadas que mejoran la eficiencia
¿Cuál es la temperatura máxima de funcionamiento para un rendimiento óptimo?
El componente puede funcionar eficazmente a temperaturas de hasta +150 °C, lo que garantiza su estabilidad en condiciones de alta temperatura.
¿Cómo debe instalarse el MOSFET para obtener los mejores resultados?
Utiliza la tecnología de montaje en superficie para la instalación en una placa de circuito impreso compatible, garantizando una soldadura correcta para mantener la integridad de la conexión.
¿De qué tipo de materiales está hecho este MOSFET?
Está fabricado con silicio (Si), lo que contribuye a su rendimiento y fiabilidad en diversos usos.
¿Puede soportar condiciones de tensión severas durante el funcionamiento?
Sí, tiene una tensión máxima de ruptura drenaje-fuente de 200 V, lo que lo hace adecuado para aplicaciones de alto voltaje.
¿Cómo afecta la carga de la puerta a su rendimiento?
La carga de puerta total típica es de 12,9nC a 10V, lo que garantiza tiempos de conmutación rápidos y una mayor eficiencia del circuito.
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