MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 120 mA, Reducción, SOT-223 de 4 pines
- Código RS:
- 911-4805
- Nº ref. fabric.:
- BSP135H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 911-4805
- Nº ref. fabric.:
- BSP135H6327XTSA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 120mA | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | SIPMOS | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45Ω | |
| Modo de canal | Reducción | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.8W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Altura | 1.6mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 120mA | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie SIPMOS | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45Ω | ||
Modo de canal Reducción | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 3.7nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.8W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 6.5mm | ||
Altura 1.6mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
- COO (País de Origen):
- MY
MOSFET Infineon serie SIPMOS®, corriente de drenaje continua máxima de 120 mA, disipación de potencia máxima de 1,8 W - BSP135H6327XTSA1
Este MOSFET está destinado a aplicaciones de conmutación eficientes, conocido por su capacidad de manejo de alta tensión y su perfil de bajo consumo. Como MOSFET de modo de agotamiento de un solo canal N, es muy adecuado para diversas aplicaciones electrónicas que requieren soluciones compactas de montaje en superficie. Con una tensión de drenaje-fuente máxima de 600 V, es una opción adecuada para los sectores de la automoción y la gestión de potencia que priorizan la eficiencia y la fiabilidad.
Características y ventajas
• Utiliza la tecnología SIPMOS® para mejorar la eficacia
• Admite capacidades de alta tensión de hasta 600 V para una mayor fiabilidad operativa
• El bajo consumo de 120 mA mejora la eficiencia energética
• Diseñado para aplicaciones de montaje en superficie, lo que permite ahorrar espacio
• Protección ESD de 1A para proteger los circuitos sensibles
• Cualificado para automoción según la norma AEC-Q101, conforme a las normas del sector
Aplicaciones
• Adecuado para soluciones de gestión de energía en dispositivos electrónicos
• Utilizado en baja tensión con capacidades de alta tensión
• Integrado en el envase para una gestión térmica eficaz
• Se utiliza en circuitos de control que requieren componentes robustos
¿Qué implicaciones tienen los valores de resistencia térmica para el rendimiento?
La resistencia térmica indica la eficacia de disipación del calor del dispositivo, garantizando que funcione dentro de los límites de seguridad durante un uso continuo. Los valores más bajos de resistencia térmica pueden aumentar el rendimiento al mejorar la gestión del calor, especialmente en aplicaciones de alta corriente.
¿Puede este MOSFET soportar aplicaciones de conmutación de alta frecuencia?
Sí, presenta características de baja carga de puerta, lo que permite un funcionamiento eficaz en entornos de alta frecuencia, haciéndolo adecuado para una gran variedad de aplicaciones electrónicas modernas.
¿Qué hay que tener en cuenta en relación con la instalación y la compatibilidad?
Es importante confirmar que el tipo de montaje se ajusta al diseño de la placa de circuitos para optimizar el rendimiento y evitar posibles problemas de gestión térmica o conectividad.
¿Cómo influye la disipación máxima de potencia en su aplicación?
Con una disipación de potencia máxima de 1,8 W, es esencial asegurarse de que el uso no supere este límite para evitar el sobrecalentamiento y posibles fallos. Una gestión térmica adecuada es crucial en el diseño.
¿Cuáles son las limitaciones de la tensión puerta-fuente?
La tensión puerta-fuente puede oscilar entre -20 V y +20 V, que debe respetarse para mantener un funcionamiento eficaz sin dañar el dispositivo ni comprometer su rendimiento.
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