MOSFET onsemi FQT3P20TF, VDSS 200 V, ID 670 mA, SOT-223 de 3 pines, , config. Simple
- Código RS:
- 671-1056
- Nº ref. fabric.:
- FQT3P20TF
- Fabricante:
- onsemi
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 671-1056
- Nº ref. fabric.:
- FQT3P20TF
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de Canal | P | |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 670 mA | |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 200 V | |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | QFET | |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial | |
| Conteo de Pines | 3 | |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 2,7 Ω | |
| Modo de Canal | Mejora | |
| Tensión de umbral de puerta mínima | 3V | |
| Disipación de Potencia Máxima | 2500 mW | |
| Configuración de transistor | Simple | |
| Tensión Máxima Puerta-Fuente | -30 V, +30 V | |
| Longitud | 6.5mm | |
| Temperatura Máxima de Funcionamiento | +150 °C | |
| Carga Típica de Puerta @ Vgs | 6 nC a 10 V | |
| Número de Elementos por Chip | 1 | |
| Ancho | 3.56mm | |
| Material del transistor | Si | |
| Altura | 1.6mm | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55 °C | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de Canal P | ||
Corriente Máxima Continua de Drenaje 670 mA | ||
Tensión Máxima Drenador-Fuente 200 V | ||
Tipo de Encapsulado SOT-223 | ||
Serie QFET | ||
Tipo de Montaje Montaje superficial | ||
Conteo de Pines 3 | ||
Resistencia Máxima Drenador-Fuente 2,7 Ω | ||
Modo de Canal Mejora | ||
Tensión de umbral de puerta mínima 3V | ||
Disipación de Potencia Máxima 2500 mW | ||
Configuración de transistor Simple | ||
Tensión Máxima Puerta-Fuente -30 V, +30 V | ||
Longitud 6.5mm | ||
Temperatura Máxima de Funcionamiento +150 °C | ||
Carga Típica de Puerta @ Vgs 6 nC a 10 V | ||
Número de Elementos por Chip 1 | ||
Ancho 3.56mm | ||
Material del transistor Si | ||
Altura 1.6mm | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55 °C | ||
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