MOSFET STMicroelectronics STN1NK60Z, VDSS 600 V, ID 300 mA, SOT-223 de 3 + Tab pines, config. Simple

Marca

STMicroelectronics

Tipo de Canal

N

Corriente Máxima Continua de Drenaje

300 mA

Tensión Máxima Drenador-Fuente

600 V

Tipo de Encapsulado

SOT-223

Tipo de Montaje

Montaje superficial

Conteo de Pines

3 + Tab

Resistencia Máxima Drenador-Fuente

15 Ω

Modo de Canal

Mejora

Tensión de umbral de puerta máxima

4.5V

Tensión de umbral de puerta mínima

3V

Disipación de Potencia Máxima

3300 mW

Configuración de transistor

Simple

Tensión Máxima Puerta-Fuente

-30 V, +30 V

Longitud

6.5mm

Temperatura Máxima de Funcionamiento

+150 °C

Ancho

3.5mm

Carga Típica de Puerta @ Vgs

4,9 nC a 10 V

Número de Elementos por Chip

1

Material del transistor

Si

Altura

1.8mm

Serie

MDmesh, SuperMESH

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55 °C