MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics STN1NK60Z, VDSS 600 V, ID 300 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
151-928
Número de artículo Distrelec:
304-37-475
Nº ref. fabric.:
STN1NK60Z
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

300mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

SuperMESH

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.6V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

4.9nC

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±30 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.7mm

Anchura

3.7 mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Altura

1.8mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
El MOSFET de potencia de STMicroelectronics se ha desarrollado utilizando la tecnología Super MESH, que se consigue mediante la optimización de una disposición Power MESH basada en tira bien establecida. Además de una reducción significativa de la resistencia, este dispositivo está diseñado para garantizar un alto nivel de capacidad dv/dt para las aplicaciones más exigentes.

100 % a prueba de avalancha

Carga de puerta minimizada

Capacidad SD mejorada

Protección Zener

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