MOSFET, Tipo N-Canal STMicroelectronics, VDSS 600 V, ID 400 mA, Mejora, SOT-223 de 4 pines

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Código RS:
920-6591
Nº ref. fabric.:
STN1HNK60
Fabricante:
STMicroelectronics
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Marca

STMicroelectronics

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

400mA

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

8.5Ω

Modo de canal

Mejora

Tensión máxima de la fuente de la puerta

30 V

Disipación de potencia máxima Pd

3.3W

Tensión directa Vf

1.6V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

6.5mm

Anchura

3.5 mm

Altura

1.8mm

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

MDmesh™ de canal N SuperMESH™, 250 V a 650 V, STMicroelectronics


Transistores MOSFET, STMicroelectronics


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